تبلیغات

از درج هرگونه تبلیغات و مطالب هرز معذوریم

دانلود ترجمه مقاله شاخص بالابان نمودارهای مکعبی

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید مقالات هانیرسی

 

عنوان فارسی مقاله:
عنوان انگلیسی مقاله:
  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود مقالات هانیرسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار مقاله ۲۰۱۵
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۱۰صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله ریاضی
گرایش های مرتبط با این مقاله ریاضی کاربردی و آنالیز عددی
مجله مربوطه ارتباطات MATCH در ریاضی و در شیمی کامپیوتر
دانشگاه تهیه کننده دانشگاه صنعتی اسلواکی در براتیسلاوا، دانشکده مهندسی عمران، گروه ریاضی، اسلواکی
رفرنس دارد

 

مشخصات و وضعیت مقالات هانیرسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۱۰صفحه
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه شده است
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه شده است
ترجمه متون داخل جداول ترجمه شده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس درج شده است
منابع داخل متن به صورت عدد درج شده است

 


 

چکیده

۱-مقدمه

۲- شاخص بالابان گراف های منتظم

۳- گراف های فلورن

۴- گراف های مکعبی با مقدار شاخص بالابان کوچک

۵- نتیجه گیری

 


  • بخشی از ترجمه:

۵- نتیجه گیری

علاوه بر فرض فوق می توان مسائل مربوط به نتایج این مقاله را مورد مطالعه قرار دارد. به عنوان یک شاخص تنوع بالابان j، شاخص های بیشار با حذف فاکتور (m/(m − n + 2 قبل از جمع شاخص ها تولید شده و کشف کران های مشابه همانند شاخص های مشابه در (۱۳) مطلوب است. به طور کلی، نتایج اصلی این مقاله نشان می دهد که ۰ علاوه بر پی و سایر مقادیر ذکر شده در ۱۶، یک نقطه تجمع برای شاخص بالابان است. از این دیدگاه، یافتن نقاط تجمع جدید و بیشتر برای این شاخص لازم است. در این مقاله، ما از گراف ساده به جای گراف های عمومی استفاده کردیم. توجه داشته باشید که از نظر شیمی، یک کلاس جالب از مولتی گراف های مکعبی وجود دارند ک ه شامل آنولن ها هسند و سایر گراف های مکعبی ویژه نیز وجود دارد. از این روی می توان مطالعه را به مولتی گراف ها و نیز محدودیت های برخی از گراف های منتظم تعمیم داد. به ۵-۶-۹-۱۴-۱۵ برای برخی از نتایج این دسته از گراف ها مراجعه کنید.

 


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

۵ Concluding remarks

Beside the above conjecture one can study some more problems related to the results of this paper. As a diversity of the Balaban index J, further indices were developed omitting the fraction factor m/(m − n + 2) before the sum, and it would be interesting to explore similar bounds as in this paper for indices introduced in [13]. Shortly speaking, the main result of our paper is showing that 0 (beside π and other values mentioned in [16]) is also an accumulation point for Balaban index. From this point of view, it would be interesting problem to find some more new accumulation points for this index. In this paper, we were restricted to simple cubic but general graphs. Note that from the point of view of chemistry one interesting class of cubic multigraphs are annulenes, and also some other particular cubic graphs are. So as further work one could extend our study to multigraphs as well as restrict to some particular regular graphs. See [5,6,9,14,15] for some (chemical) results of such classes of graphs.


 

 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید مقالات هانیرسی

 

عنوان فارسی مقاله:
عنوان انگلیسی مقاله:
  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود مقالات هانیرسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

 

ادامه‌ی پست

پرتو وحی

ادامه‌ی پست

دانلود ترجمه مقاله متد تکراری وردشی ، یک روش تحلیلی غیر خطی

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید مقالات هانیرسی

 

عنوان فارسی مقاله:
عنوان انگلیسی مقاله:
  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود مقالات هانیرسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار ۱۹۹۹
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۱۰ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله ریاضی
گرایش های مرتبط با این مقاله ریاضی کاربردی و آنالیز عددی
مجله مجله بین المللی مکانیک غیر خطی – International Journal of Non-Linear Mechanics
دانشگاه موسسه ریاضیات و مکانیک کاربردی، دانشگاه شانگهای، چین
کلمات کلیدی روش تکرار وردشی، معادله دافینگ، معادلات غیر خطی
شناسه شاپا یا ISSN ISSN ۰۰۲۰-۷۴۶۲
رفرنس دارد  
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در نشریه Elsevier
نشریه الزویر Untitled

 

مشخصات و وضعیت مقالات هانیرسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۲۳صفحه
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس درج شده است  
منابع داخل متن به صورت عدد درج شده است  

 


 

چکیده

۱- مقدمه

۲-چند مثال

۲-۱ مثال ۱- معادله دافینگ

۲-۲ مثال ۲: آونگ ریاضی (۱۰-۱۱)

۲-۳ مثال ۳: ارتعاشات پرده گوش(۱۰)

۳- مقایسه با روش تجزیه آدومین(۱۲-۱۳)

۴-نتیجه گیری


  • بخشی از ترجمه:

 

۴-نتیجه گیری

در این مقاله ما به مطالعه برخی از مسائل با روش تکرار وردشی پرداختیم که به پارامتر کوچک در یک معادله همانند فنون آشفتگی نیاز ندارد. نتایج نشان می دهد که ۱- تابع اصلاحی را می توان به آسانی توسط ضریب لاگرانژ عمومی ایجاد کرد و ضریب را می توان به طور بهینه با تئوری وردشی به طور بهینه شناسایی کرد. کاربرد تغییرات محدود در تابع اصلاحی تعیین ضریب را اسان تر می کند ۲- تقریب اولیه را می توان به آسانی با ثابت های مجهول انتخاب کرد که از طریق روش های مختلف تعیین می شود ۳- تقریب های بدست آمده با این روش نه تنها برای پارامتر کوچک، بلکه برای پارامتر های بسیار بزرگ معتبر هستند به علاوه تقریب های درجه اول دارای صحت بالایی هستند. ۴- مقایسه با روش آدومین نشان می دهد که تقریب های بدست آمده با روش پیشنهادی سریع تر از تقریب های آدومین به راه حل دقیق همگرا می شود.


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

۴٫ Conclusions

In this paper we have studied few problems with the variational iteration method, which does not require small parameter in an equation as the perturbation techniques do. The results show that (1) A correction functional can be easily constructed by a general Lagrange multiplier, and the multiplier can be optimally identified by variational theory. The application of restricted variations in correction functional makes it much easier to determine the multiplier. (2) The initial approximation can be freely selected with unknown constants, which can be determined via various methods. (3) The approximations obtained by this method are valid not only for small parameter, but also for very large parameter, furthermore their first-order approximations are of extreme accuracy. (4) Comparison with Adomian’s method reveals that the approximations obtained by the proposed method converge to its exact solution faster than those of Adomian’s.


 

 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید مقالات هانیرسی

 

عنوان فارسی مقاله:
عنوان انگلیسی مقاله:
  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود مقالات هانیرسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

 

ادامه‌ی پست

سیاست نامه مفید

ادامه‌ی پست

دانلود ترجمه مقاله اصلاح توابع بلاک پالس و کاربرد آنها

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید مقالات هانیرسی

 

عنوان فارسی مقاله:
عنوان انگلیسی مقاله:
  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود مقالات هانیرسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار ۲۰۱۱
تعداد صفحات مقاله انگلیسی  ۹صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله ریاضی
گرایش های مرتبط با این مقاله ریاضی کاربردی و آنالیز عددی
مجله

ارتباطات در علوم غیرخطی و شبیه سازی عددی 

Communications in Nonlinear Science and Numerical Simulation

دانشگاه گروه ریاضی، علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
کلمات کلیدی راه حل عددی، معادلات انتگرال ولترا،توابع بلاک-پالس، بسط تابع، برنامه نویسی موازی
شناسه شاپا یا ISSN ISSN ۱۰۰۷-۵۷۰۴
رفرنس دارد  
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در نشریه Elsevier
نشریه الزویر Untitled

 

مشخصات و وضعیت مقالات هانیرسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۱۴صفحه
ترجمه عناوین جداول ترجمه شده است  
ترجمه متون داخل جداول ترجمه شده است  
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است  
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس درج شده است  
منابع داخل متن به صورت عدد درج شده است  

 


 

چکیده

۱- مقدمه

۲- توابع بلاک-پالس(BPFs)

۳-توابع بلاک پالس اصلاح شده (ε (eMBPFs

۴- قضایا و تحلیل خطا

۵- کاربرد (ε (eMBPFs برای حل معادله انتگرال ولترا نوع اول

۶- مثال های عددی

۷-نتیجه گیری


  • بخشی از ترجمه:

 

۱- مقدمه

نظریه تقریب مربوط به این است که چگونه می توان توابع را با توابع ساده تر موسوم به توابع بنیادی و با شناسایی کمی خطا های معرفی شده توسط آن، تقریب زد(۱). یکی از این توابع بنیادی، توابع بلاک-پالس(BPF) (2) می باشد که یک سری تحقیقات مبتنی بر آن هستند. با این حال BPF ها به فراوانی استفاده می شوند و به نظر می رسد که همگرایی آن ها ضعیف است و برخی از مقالات منتشر شده سعی دارند تا سرعت همگرایی BPF ها را با روش های مختلف نظیر BPF های ترکیبی(۳-۵) بهبود بخشند. در حقیقت، در رابطه با کران خطای تقریب BPF ها، برای دست یابی به دقت مضاعف، تعداد BPF ها بایستی دو برابر و مضاعف شود که به معنی حل دستگاه های معادلات با دو معادله و دو مجهول(۱-۶) می باشد.


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

۱٫ Introduction

Approximation theory is concerned with how functions can best be approximated with simpler functions called base functions and with quantitatively characterizing the errors introduced thereby [1]. One of these base functions is Block Pulse Functions (BPFs) [2] on which some researches are based. However BPFs are very common in use, it seems their convergence is weak and some published papers have tried to improve the speed of BPFs convergence with different methods like hybrid BPFs [3–۵]. In fact by referring to error bound of BPFs approximation it seems for achieving double precision, number of BPFs have to be doubled which means solving systems of equations with double unknowns and double equations [1,6].


 

 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید مقالات هانیرسی

 

عنوان فارسی مقاله:
عنوان انگلیسی مقاله:
  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود مقالات هانیرسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

 

ادامه‌ی پست

برنامه ریزی و توسعه گردشگری

ادامه‌ی پست

دانلود ترجمه مقاله نمودارهای همسایه مشترک

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید مقالات هانیرسی

 

عنوان فارسی مقاله:
عنوان انگلیسی مقاله:
  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود مقالات هانیرسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار ۲۰۱۴
تعداد صفحات مقاله انگلیسی  ۶صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله ریاضی
گرایش های مرتبط با این مقاله ریاضی محض و آنالیز عددی
مجله

یادداشت های الکترونیکی در ریاضیات گسسته

Electronic Notes in Discrete Mathematics

دانشگاه گروه ریاضیات محض، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران
کلمات کلیدی  گراف همسایه مشترک، دور همیلتونی،عدد خوشه، اعمال گراف، عدد کروماتیک
شناسه شاپا یا ISSN ISSN ۱۵۷۱-۰۶۵۳
رفرنس دارد  
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در نشریه Elsevier
نشریه الزویر Untitled

 

مشخصات و وضعیت مقالات هانیرسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۷صفحه
ترجمه عناوین تصاویر  ترجمه شده است  
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه شده است  
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است  
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس درج شده است  
منابع داخل متن به صورت عدد درج شده است  

 


 

چکیده

۱-مقدمه

۲-نتایج اصلی

۳- رابطه بین برخی گراف های ویژه و گراف های همسایه مشترک

۴-نتایج بیشتر در خصوص گراف های همسایه مشترک

۵ – نتیجه گیری


  • بخشی از ترجمه:

 

۵ – نتیجه گیری در این بخش، ما همسایه مشترک برخی از گراف های حاصل نظیر حاصل دکارتی، مشترک، ترکیب و کرونا را اندازه گیری کردیم. هم چنین گراف همسایه مشترک از دو گراف بر اساس گراف همسایه مشترک آن ها بدست امد. در ادامنه، گراف همسایه مشترک از گراف فرعی، گراف کل و دو گراف فرعی دیگر موسوم به (R(G و (Q(G محاسبه شد. سپس، رابطه بین هم ارزی گراف G و con(G) بررسی شد. هم چنین کران پایین تر برای عدد خوشه (con(G از حیث عدد خوشه گراف G در نظر گرفته شد. در نهایت می توان گفت که عددکروماتیک کل گراف G با عدد کروماتیک ((con(T(G محدود می شود.


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

۵ Conclusions

In this paper we are computed the common neighborhood of some product graphs such as Cartesian product, join, composition and corona product. Also we obtained the common neighborhood graph of the splice and link of two graphs according to their common neighborhood graphs. In continue computed the common neighborhood graph of subdivision graph, total graph and two extra subdivision-related graphs that named R(G) and Q(G). Next the relation between hamiltonicity of graph G and con(G) has been investigated. Also we gave a lower bound for the clique number of con(G) in terms of clique number of graph G. Finally it is stated that total chromatic number of graph G is bounded by chromatic number of con(T(G)).


 

 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید مقالات هانیرسی

 

عنوان فارسی مقاله:
عنوان انگلیسی مقاله:
  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود مقالات هانیرسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

 

ادامه‌ی پست

زبان شناسی

ادامه‌ی پست

دانلود ترجمه مقاله حل عددی برنامه ریزی خطی بازه ای

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید مقالات هانیرسی

 

عنوان فارسی مقاله:
عنوان انگلیسی مقاله:
  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود مقالات هانیرسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار مقاله ۲۰۱۴
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۸صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله ریاضی
گرایش های مرتبط با این مقاله ریاضی محض و آنالیز عددی
مجله مربوطه انجمن بین المللی ریاضی – International Mathematical Forum
دانشگاه تهیه کننده دانشکده ریاضیات و آمار چنگکینگ، چین
کلمات کلیدی این مقاله برنامه نویسی خطی بازه ای، اعداد بازه ای، مقادیر فاصله ای هدف بهینه
رفرنس دارد

 

مشخصات و وضعیت مقالات هانیرسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۸ صفحه
ترجمه عناوین جداول ترجمه شده است
ترجمه متون داخل جداول ترجمه شده است
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس درج شده است
منابه داخل متن به صورت عدد درج شده است

 


 

چکیده

۱- مقدمه

۲- یک مدل عمومی

۳- نتایج و بحث

۳-۱ قیود مساوی

۳-۲ یکنواختی برنامه ریزی(۳-۱)

۳-۳ کران پایین و بالای برنامه ریزی (۲)

۳-۴ مثال

مثال (به ۱ مراجعه کنید)

۴- نتیجه گیری

 


  • بخشی از ترجمه:

۱- مقدمه

در برنامه نویسی( برنامه ریزی) ریاضی متعارف، ضرایب مسائل معمولا به عنوان مقادیر قطعی در نظر گرفته می شوند. با این حال، عدم قطعیت معمولا در مسائل مهندسی کاربردی وجود دارد(۱-۳). به منظور حل مسائل بهینه سازی غیر قطعی، رویکرد های فازی(۴) و تصادفی(۵-۶) به طور مکرر برای توصیف ویژگی های غیر دقیق مورد استفاده قرار می گیرند. در این دو رویکرد، تابع عضویت و توزیع احتمال ، نقش مهمی ایفا می کنند. با این حال، گاهی مواقع، تعیین یک تابع عضویت مناسب و یا توزیع احتمالی دقیق در یک محیط غیر قطعی سخت است(۷).بنابر این، مسائل بهینه سازی بازه ای می تواند یک گزینه جایگزین برای حل مسائل بهینه سازی عدم قطعیت در اختیار بگذارد.

 


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

۱ Introduction

In traditional mathematical programming, the coefficients of the problems are always treated as deterministic values. However, uncertainty always exits in practical engineering problems[1-3]. In order to deal with the uncertain optimization problems, fuzzy[4] and stochastic[5-6] approaches are frequently used to describe the imprecise characteristics. In these two approaches,the membership function and probability distribution play important roles. However, it is sometimes difficult to specify an appropriate membership function or accurate probability distribution in an uncertain environment[7]. Therefore, interval optimization problems may provide an alternative choice for solving uncertainty optimization problems.


 

 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید مقالات هانیرسی

 

عنوان فارسی مقاله:
عنوان انگلیسی مقاله:
  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود مقالات هانیرسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

 

ادامه‌ی پست

دانلود رایگان ترجمه مقاله مرور خانواده های مقاومت حافظه‌دار در حال ظهور – اسپرینگر ۲۰۱۵

بخشی از مقاله انگلیسی:

۲ Resistive memristor

Before the advent of the resistive memristor, resistive materials have already been widely utilized in the resistive random access memories (ReRAM) [25–۲۷]. The storage function of ReRAM is realised by an intrinsic physical behaviour observed in ReRAM, namely resistive switching. Because of the resistive switching, the resistive material can be switched between a high resistance state (HRS) and a low resistance state (LRS) under an external electrical stimuli. The switching process from HRS to LRS and the corresponding switching voltage are usually named ‘SET’ process and VSET, while the process from LRS to HRS and the required switching voltage are represented by ‘RESET’ process and VRESET. It is instructive to mention that in most cases, the current stemming from the external stimuli is restricted to a local region with high conductance during ‘SET’ process, whereas it flows uniformly through ReRAM during ‘RESET’ process [28]. It should be also noted that in bistable resistive materials, like some transition metal oxides, there are usually two switching modes, i.e., unipolar switching and bipolar switching, as shown in Fig. 3. Unipolar switching allows for a switching process that is independent of the voltage/current polarity. Therefore, the ‘SET’ process and the ‘RESET’ process is achieved with the same signal polarity. However, the bipolar switching mode gives rise to an opposite signal polarity between the ‘SET’ process and the ‘RESET’ process. The comparison between Figs. 2, 3 clearly shows that the resistive material when operated in the bipolar switching mode exhibits an analogous I–V curve to that of the theoretical memristor. As a consequence, considerable research efforts have been recently dedicated to the development of the memristor using resistive materials such as TiO2 [9, 11, 29], ZnO [30], and TaOx [31, 32], thus triggering a presence of some resistive materials-based memristor prototypes. The architecture of the memristor using resistive materials usually consists of an insulator sandwiched by two metals, also known as MIM structure, as illustrated in Fig. 4. By changing the magnitude and the polarity of the signal applied to the metals (i.e., electrodes here), the sandwiched insulator can be toggled between the ‘ON’ state and the ‘OFF’ state so as to realise the memristive function. Although such a resistance transition phenomenon has been found for many years, the correlated physical mechanism is still not well understood. Today, the electric pulse induced resistance switching (EPIR) effect is the most generally accepted mechanism. The most appealing trait of EPIR arises from its strong field-direction dependence, indicating that the resistance of the system can be toggled by theapplied voltage or current pulses to generate the I–V hysteresis that supplies the function of the resistance memory. Although the secret behind EPIR is still uncovered, the consensus is that the EPIR effect will cause the formation and rupture of a conductive filament (CF) inside the resistive materials [33]. Thermochemical effect has been regarded as one of the most plausible explanations for the CF hypothesis [34–۳۶]. The thermochemical mechanism assumes a large number of O2- ions accumulated around the electrode, thus leading to a formation of oxygen vacancies. With an application of a negative bias to the top electrode, the O2- ions are pushed away from the top electrode, while the oxygen vacancies are attracted towards the top electrode. In this case, the vacancy dopants would drift in the electric field through the most favourable diffusion paths, such as grain boundaries, to form a filamentlike path with a high electrical conductivity [37]. Once the CFs are formed, the current flow that would concentrate on the resulting filaments can trigger a fast growth of these filaments due to the local heating by the concentrated current flow, which corresponds to a ‘SET’ process. The ‘RESET’ process, is postulated to be realized by the thermal rupture of the filaments according to the heat produced in the presence of a large current flow. In contrast to the thermochemical effect, another interpretation ascribed the occurring of the CF to the motion of the oxygen ions that usually appear near crystal defects such as oxygen vacancies and grain boundaries [28, 38, 39]. As shown in Fig. 5a, applying a positive bias to the top electrode would drive the oxygen ions towards the top electrode where the oxygen ions will thereby accumulate. This migration would produce abundant cation vacancies therein Fig. 5b. As the cation vacancies that can create an acceptor level near the valence band are the source of the hole carriers in semiconductors, it is possible for these newly created cation vacancies to be transformed into the nuclei of semiconducting CFs. Subsequently these nuclei will grow with the assist of the electric field to form a CF extending through the whole thickness of the storage medium (Fig. 5c), and finally the memory cell would reach the LRS. Due to the fact that the CF actually grows from anode to cathode, the thinnest region of the CF is regarded to be located near the cathode [28]. As a result, more Joule heating will be accumulated at the thinnest part of the CF when negatively biasing the top electrode. Under this circumstance, the oxygen ions at the thinnest part of the CF will be aggressively accelerated towards the bottom electrode and then be trapped at the storage medium/bottom electrode interface or the grain boundaries of the bottom electrode. This motion would destroy the concentration of the cation vacancies in the thinnest part of the CF, thus resulting in the rupture of the CF, as shown in Fig. 5d. The memory cell will consequently be switched into the HRS.

ادامه‌ی پست